на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 49+ | 254.42 грн |
| 58+ | 214.84 грн |
| 61+ | 203.59 грн |
| 62+ | 194.26 грн |
| 100+ | 149.22 грн |
| 250+ | 141.77 грн |
| 500+ | 113.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM90142E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUM90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUM90142E-GE3 за ціною від 121.95 грн до 299.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SUM90142E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUM90142E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263 |
на замовлення 18350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUM90142E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUM90142E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUM90142E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |