Продукція > VISHAY SILICONIX > SUM90220E-GE3
SUM90220E-GE3

SUM90220E-GE3 Vishay Siliconix

sum90220e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.11 грн
10+144.26 грн
100+100.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM90220E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUM90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.0216 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SUM90220E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUM90220E-GE3 SUM90220E-GE3 Vishay Semiconductors sum90220e.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3 SUM90220E-GE3 VISHAY VISH-S-A0024174252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.0216 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3 SUM90220E-GE3 VISHAY VISH-S-A0024174252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.0216 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3 sum90220e.pdf
SUM90220E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3 VISH-S-A0024174252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM90220E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.0216 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90220E-GE3 VISH-S-A0024174252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM90220E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM90220E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 64 A, 0.0216 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.