Продукція > VISHAY SILICONIX > SUM90330E-GE3
SUM90330E-GE3

SUM90330E-GE3 Vishay Siliconix

sum90330e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+46.85 грн
1600+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM90330E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SUM90330E-GE3 за ціною від 54.33 грн до 157.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM90330E-GE3 SUM90330E-GE3 Виробник : Vishay sum90330e.pdf N-Channel 200 V MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 SUM90330E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sum90330e.pdf MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.58 грн
10+110.87 грн
100+75.44 грн
500+59.68 грн
2400+55.09 грн
4800+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 SUM90330E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum90330e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 35.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.26 грн
10+97.48 грн
100+66.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90330E-GE3 Виробник : VISHAY sum90330e.pdf SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.