SUM90N03-2M2P-E3 - Транзистори - Польові N-канальні
В наявності/на замовлення
Технічний опис SUM90N03-2M2P-E3
Ціна SUM90N03-2M2P-E3 від 0 грн до 0 грн
 Виробник: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263 Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA 
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
|
Виробник: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT)
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|
|
 Виробник: Vishay Semiconductors MOSFET 30V 90A 250W
|
на замовлення 65 шт  термін постачання 14-28 дні (днів) |
|
|
 Виробник: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик |
|