Продукція > VISHAY SILICONIX > SUM90N10-8M2P-E3
SUM90N10-8M2P-E3

SUM90N10-8M2P-E3 Vishay Siliconix

sum90n10-8m2p.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+171.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM90N10-8M2P-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUM90N10-8M2P-E3 за ціною від 154.41 грн до 477.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SUM90N10-8M2P-E3 SUM90N10-8M2P-E3 Vishay sum90n108m2p.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+258.27 грн
10+229.64 грн
25+227.37 грн
50+216.88 грн
100+154.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 SUM90N10-8M2P-E3 Vishay sum90n108m2p.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.27 грн
62+229.64 грн
63+227.37 грн
64+216.88 грн
100+154.41 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 SUM90N10-8M2P-E3 VISHAY sum90n10-8m2p.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+344.87 грн
10+232.82 грн
25+207.61 грн
100+175.67 грн
250+158.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 SUM90N10-8M2P-E3 VISHAY VISH-S-A0001113586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.15 грн
10+254.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 SUM90N10-8M2P-E3 Vishay Siliconix sum90n10-8m2p.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.27 грн
10+284.88 грн
100+205.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 SUM90N10-8M2P-E3 Vishay sum90n108m2p.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+477.63 грн
34+424.88 грн
100+346.97 грн
250+293.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 sum90n108m2p.pdf
SUM90N10-8M2P-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+258.27 грн
10+229.64 грн
25+227.37 грн
50+216.88 грн
100+154.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 sum90n108m2p.pdf
SUM90N10-8M2P-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
55+258.27 грн
62+229.64 грн
63+227.37 грн
64+216.88 грн
100+154.41 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 sum90n10-8m2p.pdf
SUM90N10-8M2P-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+344.87 грн
10+232.82 грн
25+207.61 грн
100+175.67 грн
250+158.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 VISH-S-A0001113586-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM90N10-8M2P-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+364.15 грн
10+254.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 sum90n10-8m2p.pdf
SUM90N10-8M2P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+442.27 грн
10+284.88 грн
100+205.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 sum90n108m2p.pdf
SUM90N10-8M2P-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+477.63 грн
34+424.88 грн
100+346.97 грн
250+293.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.