SUM90N10-8M2P-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 170.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM90N10-8M2P-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SUM90N10-8M2P-E3 за ціною від 151.66 грн до 469.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 300W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 327 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 8200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V |
на замовлення 3472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V 90A 300W |
товару немає в наявності |