на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 90.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM90N10-8M2P-E3 Vishay
Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SUM90N10-8M2P-E3 за ціною від 112.40 грн до 459.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 300W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 300W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 532 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM90N10-8M2P-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V 90A 300W |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V |
на замовлення 3472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM90N10-8M2P-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |