Продукція > VISHAY > SUM90P10-19L-E3
SUM90P10-19L-E3

SUM90P10-19L-E3 Vishay

sum90p10.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 17.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+147.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM90P10-19L-E3 Vishay

Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SUM90P10-19L-E3 за ціною від 146.82 грн до 398.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Виробник : Vishay Siliconix sum90p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+153.45 грн
1600+146.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Виробник : Vishay sum90p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+158.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Виробник : Vishay sum90p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+170.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Виробник : VISHAY VISHS99696-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+195.73 грн
250+178.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Виробник : Vishay sum90p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+207.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Виробник : Vishay sum90p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+249.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Виробник : Vishay sum90p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+263.22 грн
3200+241.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Виробник : Vishay sum90p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+269.88 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Виробник : Vishay sum90p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+289.16 грн
10+233.25 грн
25+230.63 грн
100+208.07 грн
250+166.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992DB9B0CF5E0C7&compId=SUM90P10-19L.pdf?ci_sign=43a7a297887e797b9b6f3a51b3cf96b72f3880f0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -90A; Idm: -90A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 326nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+331.83 грн
5+213.80 грн
12+202.01 грн
50+194.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Виробник : VISHAY sum90p10.pdf Description: VISHAY - SUM90P10-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 90 A, 0.019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+347.92 грн
10+264.11 грн
50+257.34 грн
100+195.73 грн
250+178.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Виробник : Vishay Semiconductors sum90p10.pdf MOSFETs 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
на замовлення 8731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.15 грн
10+249.93 грн
100+175.07 грн
500+162.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Виробник : Vishay Siliconix sum90p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
на замовлення 7844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.47 грн
10+260.34 грн
100+186.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992DB9B0CF5E0C7&compId=SUM90P10-19L.pdf?ci_sign=43a7a297887e797b9b6f3a51b3cf96b72f3880f0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -90A; Idm: -90A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 326nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.20 грн
5+266.43 грн
12+242.42 грн
50+233.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90P10-19L-E3 Виробник : Siliconix sum90p10.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM90P10-19L-E3 TSUM90P10-19l
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.