SUM90P10-19L-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 136.64 грн |
| 1600+ | 130.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM90P10-19L-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SUM90P10-19L-E3 за ціною від 148.42 грн до 361.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM90P10-19L-E3 | Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM90P10-19L-E3 TSUM90P10-19l кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUM90P10-19L-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V 90A 375W 19mohm @ 10V |
на замовлення 7278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SUM90P10-19L-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SUM90P10-19L-E3 |
|
Виробник: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM90P10-19L-E3 TSUM90P10-19l
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM90P10-19L-E3 TSUM90P10-19l
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 199.21 грн |
| SUM90P10-19L-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
MOSFETs 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
на замовлення 7278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 302.02 грн |
| 10+ | 202.44 грн |
| 100+ | 153.26 грн |
| 500+ | 152.57 грн |
| 800+ | 148.42 грн |
| SUM90P10-19L-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 361.91 грн |
| 10+ | 231.84 грн |
| 100+ | 165.97 грн |