SUP10250E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.0315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP10250E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.0315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUP10250E-GE3 за ціною від 95.15 грн до 293.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP10250E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP10250E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.3A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36.3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 88nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 422 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP10250E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs TO-220 |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP10250E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SUP10250E-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SUP10250E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 260.68 грн |
| 63+ | 225.18 грн |
| SUP10250E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.3A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.3A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 268.62 грн |
| 5+ | 195.13 грн |
| 10+ | 171.38 грн |
| 25+ | 148.47 грн |
| SUP10250E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs TO-220
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs TO-220
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 293.56 грн |
| 10+ | 146.71 грн |
| 100+ | 115.59 грн |
| 500+ | 104.31 грн |
| 1000+ | 97.27 грн |
| 2500+ | 95.15 грн |
| SUP10250E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SUP10250E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
Description: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





