SUP10250E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.3A; 125W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.3A
Gate charge: 88nC
On-state resistance: 32.5mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 176.96 грн |
| 5+ | 141.30 грн |
| 10+ | 138.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP10250E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.0315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUP10250E-GE3 за ціною від 112.79 грн до 247.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP10250E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs TO-220 |
на замовлення 3074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SUP10250E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.3A; 125W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36.3A Gate charge: 88nC On-state resistance: 32.5mΩ Power dissipation: 125W Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 422 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUP10250E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.0315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUP10250E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SUP10250E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUP10250E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
SUP10250E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.0315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
SUP10250E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
SUP10250E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |