Продукція > VISHAY > SUP10250E-GE3
SUP10250E-GE3

SUP10250E-GE3 Vishay

sup10250e.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+260.10 грн
63+224.68 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP10250E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.0315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SUP10250E-GE3 за ціною від 146.44 грн до 264.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 VISHAY sup10250e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.3A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+264.94 грн
5+192.46 грн
10+169.03 грн
25+146.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 Vishay sup10250e.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 Vishay Siliconix sup10250e.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 Vishay Semiconductors sup10250e.pdf MOSFETs 250V Vds 20V Vgs TO-220
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 VISHAY sup10250e.pdf Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.0315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 SUP10250E-GE3 VISHAY VISH-S-A0002290145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.0315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 sup10250e.pdf
SUP10250E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.3A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+264.94 грн
5+192.46 грн
10+169.03 грн
25+146.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 sup10250e.pdf
SUP10250E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 sup10250e.pdf
SUP10250E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 sup10250e.pdf
SUP10250E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs TO-220
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 sup10250e.pdf
SUP10250E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.0315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP10250E-GE3 VISH-S-A0002290145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUP10250E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.0315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.