SUP10250E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.0315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 148.38 грн |
| 500+ | 132.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP10250E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.0315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUP10250E-GE3 за ціною від 94.34 грн до 286.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SUP10250E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63 A, 0.0315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0315ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP10250E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP10250E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.3A; 125W Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220AB Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain current: 36.3A Drain-source voltage: 250V Gate charge: 88nC On-state resistance: 32.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 125W |
на замовлення 422 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP10250E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP10250E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs TO-220 |
на замовлення 2973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP10250E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SUP10250E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SUP10250E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |