SUP18N15-95-E3

SUP18N15-95-E3 Vishay Siliconix


Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP18N15-95-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SUP18N15-95-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUP18N15-95-E3 SUP18N15-95-E3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUP85N15-21-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.