SUP40010EL-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.46 грн |
| 50+ | 116.10 грн |
| 100+ | 99.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP40010EL-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUP40010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUP40010EL-GE3 за ціною від 105.14 грн до 278.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP40010EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP40010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP40010EL-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-220 |
на замовлення 764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP40010EL-GE3 Код товару: 175887
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
SUP40010EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SUP40010EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |