SUP40012EL-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.79mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.06 грн |
| 50+ | 115.58 грн |
| 100+ | 104.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP40012EL-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.79mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SUP40012EL-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP40012EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
|
|
SUP40012EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
 |
SUP40012EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
| SUP40012EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 150A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.36mΩ Mounting: THT Gate charge: 195nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SUP40012EL-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 40V Vds +/-20V Vgs TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
| SUP40012EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 150A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.36mΩ Mounting: THT Gate charge: 195nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |