Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SUP50010E-GE3

SUP50010E-GE3

sup50010e.pdf
Код товару: 191652
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SUP50010E-GE3 за ціною від 207.82 грн до 373.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUP50010E-GE3 SUP50010E-GE3 Vishay sup50010e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.64 грн
10+207.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010E-GE3 SUP50010E-GE3 Vishay Siliconix sup50010e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.43 грн
10+238.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010E-GE3 SUP50010E-GE3 Vishay sup50010e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010E-GE3 sup50010e.pdf
SUP50010E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+218.64 грн
10+207.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010E-GE3 sup50010e.pdf
SUP50010E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+373.43 грн
10+238.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50010E-GE3 sup50010e.pdf
SUP50010E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

SIHD11N80AE-GE3
Код товару: 220649
Додати до обраних Обраний товар
sihd11n80ae.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується: 100 шт
  • 100 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
UCC24636DBVR
Код товару: 189187
Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fucc24636
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
товару немає в наявності
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
NCP785AH120T1G
Код товару: 188177
Додати до обраних Обраний товар
ncp785a-d.pdf
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
товару немає в наявності
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
470uF 10V ESX 8x12mm (low imp., 5000год.ин) (ESX471M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 50475
3 Додати до обраних Обраний товар
ESX_080418.pdf
470uF 10V ESX 8x12mm (low imp., 5000год.ин) (ESX471M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 6963 шт
  • 6427 шт - склад
  • 181 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 176 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 179 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.70 грн
100+2.30 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1203D60R2G
Код товару: 24891
Додати до обраних Обраний товар
NCP1203D60R2G.pdf
NCP1203D60R2G
Виробник: ON
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-8
Призначення і характеристики: ШІМ струмового режиму
Напруга вхідна, В: 16 В
Iвих., А: 250 мА
Частота Fosc, кГц: 65 кГц
Темп. діапазон: -40...+125°С
у наявності: 165 шт
  • 140 шт - склад
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+110.00 грн
10+99.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.