Інші пропозиції SUP50010E-GE3 за ціною від 209.68 грн до 364.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP50010E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
SUP50010E-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
SUP50010E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| SUP50010E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 220.59 грн |
| 10+ | 209.68 грн |
| SUP50010E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 364.06 грн |
| 10+ | 232.18 грн |
| SUP50010E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| SIHD11N80AE-GE3 Код товару: 220649
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UCC24636DBVR Код товару: 189187
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NCP785AH120T1G Код товару: 188177
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 470uF 10V ESX 8x12mm (low imp., 5000год.ин) (ESX471M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 50475
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 мкФ
Номін. напруга: 10 В
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп. діапазон: -55...+105°С
Габарити: 8x12 мм
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 5301 шт
- 4841 шт - склад
- 174 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 156 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 130 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.70 грн |
| 100+ | 2.30 грн |
| 1000+ | 1.90 грн |
| NCP1203D60R2G Код товару: 24891
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-8
Призначення і характеристики: ШІМ струмового режиму
Напруга вхідна, В: 16 В
Iвих., А: 250 мА
Частота Fosc, кГц: 65 кГц
Темп. діапазон: -40...+125°С
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-8
Призначення і характеристики: ШІМ струмового режиму
Напруга вхідна, В: 16 В
Iвих., А: 250 мА
Частота Fosc, кГц: 65 кГц
Темп. діапазон: -40...+125°С
у наявності: 165 шт
- 140 шт - склад
- 25 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 10 шт
- 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 110.00 грн |
| 10+ | 99.00 грн |






