на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 167.5 грн |
| 10+ | 159.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP50010E-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SUP50010E-GE3 за ціною від 102.3 грн до 232.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP50010E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUP50010E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds; 20V Vgs TO-220AB |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUP50010E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
SUP50010E-GE3 Код товару: 191652 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
SUP50010E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SUP50010E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 150A; Idm: 500A Mounting: THT Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 375W Gate charge: 212nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 150A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 2.5mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SUP50010E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 150A; Idm: 500A Mounting: THT Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 375W Gate charge: 212nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 150A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 2.5mΩ |
товар відсутній |