на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.21 грн |
| 10+ | 197.13 грн |
| 25+ | 149.32 грн |
| 100+ | 138.66 грн |
| 250+ | 131.04 грн |
| 500+ | 106.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP50020E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SUP50020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUP50020E-GE3 за ціною від 107.93 грн до 294.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP50020E-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SUP50020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUP50020E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| SUP50020E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
SUP50020E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
SUP50020E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SUP50020E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 120A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |