на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.13 грн |
| 10+ | 213.92 грн |
| 100+ | 152.33 грн |
| 500+ | 120.18 грн |
| 1000+ | 116.35 грн |
| 2500+ | 109.46 грн |
| 5000+ | 107.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP50020EL-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SUP50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUP50020EL-GE3 за ціною від 212.96 грн до 285.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP50020EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SUP50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
SUP50020EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
 |
SUP50020EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
SUP50020EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
SUP50020EL-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
товару немає в наявності |