SUP50020EL-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 282.51 грн |
| 10+ | 186.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP50020EL-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SUP50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUP50020EL-GE3 за ціною від 96.44 грн до 300.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP50020EL-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs TO-220 |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP50020EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SUP50020EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SUP50020EL-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
товару немає в наявності |