на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 88.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP53P06-20-E3 Vishay
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUP53P06-20-E3 за ціною від 93.01 грн до 327.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP53P06-20-E3 | Виробник : VISHAY |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -46.8A; 66.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -46.8A Power dissipation: 66.7W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP53P06-20-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP53P06-20-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP53P06-20-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP53P06-20-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP53P06-20-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -46.8A; 66.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -46.8A Power dissipation: 66.7W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 363 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP53P06-20-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP53P06-20-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP53P06-20-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP53P06-20-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP53P06-20-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 транзистор Код товару: 216282
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
SUP53P06-20-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |