Інші пропозиції SUP53P06-20-E3 транзистор за ціною від 87.86 грн до 300.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -46.8A; 66.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -46.8A Power dissipation: 66.7W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 252 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0195 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 1439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
на замовлення 4928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V |
на замовлення 2491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SUP53P06-20-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - MOSFET, P-CH, 60V, 53A, TO-220ABtariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 143.73 грн |
| 50+ | 142.32 грн |
| 100+ | 139.29 грн |
| 500+ | 131.95 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 99+ | 143.73 грн |
| 100+ | 142.32 грн |
| 102+ | 139.29 грн |
| 500+ | 131.95 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 97+ | 146.39 грн |
| 98+ | 144.93 грн |
| 100+ | 141.91 грн |
| 500+ | 132.25 грн |
| 1000+ | 121.15 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 147.24 грн |
| 50+ | 145.77 грн |
| 100+ | 142.52 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 97+ | 147.53 грн |
| 98+ | 146.05 грн |
| 100+ | 142.81 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -46.8A; 66.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -46.8A
Power dissipation: 66.7W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -46.8A; 66.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -46.8A
Power dissipation: 66.7W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 191.51 грн |
| 10+ | 133.79 грн |
| 25+ | 122.15 грн |
| 50+ | 113.84 грн |
| 100+ | 107.19 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 226.23 грн |
| 68+ | 210.36 грн |
| 100+ | 198.45 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 290.75 грн |
| 10+ | 157.05 грн |
| 100+ | 132.89 грн |
| 500+ | 106.95 грн |
| 1000+ | 96.65 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 4928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 292.79 грн |
| 50+ | 144.28 грн |
| 100+ | 130.91 грн |
| 500+ | 100.86 грн |
| 1000+ | 93.79 грн |
| 2000+ | 87.86 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
MOSFETs 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 300.41 грн |
| 10+ | 154.02 грн |
| 100+ | 111.84 грн |
| 500+ | 98.03 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - MOSFET, P-CH, 60V, 53A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - MOSFET, P-CH, 60V, 53A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 293.97 грн |
| 10+ | 276.25 грн |
| 25+ | 260.14 грн |
| 50+ | 221.37 грн |
| 100+ | 185.01 грн |
| 250+ | 160.85 грн |







