Інші пропозиції SUP53P06-20-E3 транзистор за ціною від 115.97 грн до 357.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP53P06-20-E3 | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -46.8A; 66.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -46.8A Power dissipation: 66.7W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 152 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
на замовлення 4590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V |
на замовлення 2273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SUP53P06-20-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0195 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 3.1W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUP53P06-20-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - MOSFET, P-CH, 60V, 53A, TO-220ABtariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 3.1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -46.8A; 66.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -46.8A
Power dissipation: 66.7W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -46.8A; 66.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -46.8A
Power dissipation: 66.7W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 227.91 грн |
| 10+ | 157.45 грн |
| 25+ | 139.67 грн |
| 50+ | 130.36 грн |
| 100+ | 121.05 грн |
| 150+ | 115.97 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 285.82 грн |
| 56+ | 255.52 грн |
| 60+ | 237.08 грн |
| 100+ | 213.37 грн |
| 150+ | 189.34 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 316.95 грн |
| 69+ | 204.77 грн |
| 70+ | 202.76 грн |
| 100+ | 165.38 грн |
| 500+ | 137.30 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 319.53 грн |
| 10+ | 206.45 грн |
| 50+ | 204.42 грн |
| 100+ | 166.73 грн |
| 500+ | 138.42 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 325.99 грн |
| 10+ | 196.25 грн |
| 50+ | 194.28 грн |
| 100+ | 160.39 грн |
| 500+ | 134.06 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 325.99 грн |
| 72+ | 196.25 грн |
| 73+ | 194.28 грн |
| 100+ | 160.39 грн |
| 500+ | 134.06 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 351.28 грн |
| 10+ | 224.06 грн |
| 50+ | 175.00 грн |
| 100+ | 149.39 грн |
| 500+ | 123.39 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 352.56 грн |
| 70+ | 202.47 грн |
| 71+ | 200.46 грн |
| 100+ | 163.79 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 357.25 грн |
| 10+ | 205.17 грн |
| 50+ | 203.13 грн |
| 100+ | 165.97 грн |
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
MOSFETs 60V 53A 104.2W 19.5mohm @ 10V
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 53 A, 0.0195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SUP53P06-20-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - MOSFET, P-CH, 60V, 53A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SUP53P06-20-E3 - MOSFET, P-CH, 60V, 53A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







