SUP60020E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 271.14 грн |
| 50+ | 133.27 грн |
| 100+ | 120.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP60020E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUP60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SUP60020E-GE3 за ціною від 105.83 грн до 285.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP60020E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 N-CH 80V 150A |
на замовлення 814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP60020E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP60020E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SUP60020E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SUP60020E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 150A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 227nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |