Продукція > VISHAY > SUP60020E-GE3
SUP60020E-GE3

SUP60020E-GE3 VISHAY

sup60020e.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+296.28 грн
10+284.72 грн
100+149.38 грн
500+116.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP60020E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SUP60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUP60020E-GE3 за ціною від 103.00 грн до 333.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sup60020e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.96 грн
50+153.05 грн
100+138.82 грн
500+106.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sup60020e.pdf MOSFETs TO220 N CHAN 80V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+333.88 грн
10+316.42 грн
25+146.40 грн
100+133.16 грн
500+106.67 грн
1000+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 Виробник : Vishay sup60020e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 Виробник : Vishay sup60020e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3 SUP60020E-GE3 Виробник : Vishay sup60020e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60020E-GE3 Виробник : VISHAY sup60020e.pdf SUP60020E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.