SUP60030E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 199.76 грн |
| 10+ | 173.19 грн |
| 100+ | 141.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP60030E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V.
Інші пропозиції SUP60030E-GE3 за ціною від 103.62 грн до 211.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP60030E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 80V Vds 20V Vgs TO-220 |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUP60030E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SUP60030E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SUP60030E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SUP60030E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 120A; Idm: 250A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 141nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SUP60030E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 120A; Idm: 250A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 141nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |