Продукція > VISHAY > SUP60030E-GE3
SUP60030E-GE3

SUP60030E-GE3 VISHAY

VISH-S-A0001811376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+154.64 грн
500+142.84 грн
1000+115.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP60030E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SUP60030E-GE3 за ціною від 114.60 грн до 348.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUP60030E-GE3 SUP60030E-GE3 VISHAY VISH-S-A0001811376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.80 грн
10+169.94 грн
100+154.64 грн
500+142.84 грн
1000+115.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3 SUP60030E-GE3 Vishay Semiconductors sup60030e.pdf MOSFETs 80V Vds 20V Vgs TO-220
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+348.74 грн
10+177.83 грн
100+140.83 грн
500+115.98 грн
1000+114.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3 VISH-S-A0001811376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUP60030E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+327.80 грн
10+169.94 грн
100+154.64 грн
500+142.84 грн
1000+115.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3 sup60030e.pdf
SUP60030E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs TO-220
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+348.74 грн
10+177.83 грн
100+140.83 грн
500+115.98 грн
1000+114.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.