Продукція > VISHAY SILICONIX > SUP60030E-GE3
SUP60030E-GE3

SUP60030E-GE3 Vishay Siliconix

sup60030e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+353.93 грн
10+225.69 грн
50+176.19 грн
100+150.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP60030E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.

Інші пропозиції SUP60030E-GE3 за ціною від 126.12 грн до 379.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUP60030E-GE3 SUP60030E-GE3 Vishay Semiconductors sup60030e.pdf MOSFETs 80V Vds 20V Vgs TO-220
на замовлення 329 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+379.25 грн
10+193.39 грн
100+153.15 грн
500+126.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3 SUP60030E-GE3 VISHAY VISH-S-A0001811376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3 SUP60030E-GE3 VISHAY VISH-S-A0001811376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3 sup60030e.pdf
SUP60030E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs TO-220
на замовлення 329 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+379.25 грн
10+193.39 грн
100+153.15 грн
500+126.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3 VISH-S-A0001811376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUP60030E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60030E-GE3 VISH-S-A0001811376-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUP60030E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.