SUP60030E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 151.34 грн |
| 500+ | 129.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP60030E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SUP60030E-GE3 за ціною від 98.31 грн до 263.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SUP60030E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUP60030E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs TO-220 |
на замовлення 961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUP60030E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SUP60030E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SUP60030E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SUP60030E-GE3 | Виробник : VISHAY |
SUP60030E-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SUP60030E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |