SUP60061EL-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 241.43 грн |
| 10+ | 195.33 грн |
| 100+ | 157.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP60061EL-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUP60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SUP60061EL-GE3 за ціною від 146.14 грн до 265.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP60061EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP60061EL-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SUP60061EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
SUP60061EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk |
товар відсутній |