Продукція > VISHAY SILICONIX > SUP60061EL-GE3
SUP60061EL-GE3

SUP60061EL-GE3 Vishay Siliconix

sup60061el.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.67 грн
10+223.70 грн
100+158.99 грн
500+123.27 грн
1000+114.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP60061EL-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUP60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SUP60061EL-GE3 за ціною від 128.53 грн до 410.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUP60061EL-GE3 SUP60061EL-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sup60061el.pdf MOSFETs TO220 P-CH 80V 150A
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+370.73 грн
10+251.29 грн
100+155.28 грн
500+154.48 грн
1000+146.48 грн
2500+143.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60061EL-GE3 SUP60061EL-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0018701618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+410.35 грн
10+276.56 грн
100+196.64 грн
500+150.08 грн
1000+128.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60061EL-GE3
Код товару: 214189
Додати до обраних Обраний товар

sup60061el.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60061EL-GE3 SUP60061EL-GE3 Виробник : Vishay sup60061el.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60061EL-GE3 Виробник : Vishay sup60061el.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP60061EL-GE3 SUP60061EL-GE3 Виробник : Vishay sup60061el.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.