Продукція > VISHAY > SUP70030E-GE3
SUP70030E-GE3

SUP70030E-GE3 Vishay

sup70030e.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+203.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP70030E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUP70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3180 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3180µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SUP70030E-GE3 за ціною від 120.62 грн до 386.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUP70030E-GE3 SUP70030E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sup70030e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.18mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.69 грн
50+167.28 грн
100+149.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3 SUP70030E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sup70030e.pdf MOSFETs 100V Vds; 20V Vgs TO-220AB
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.61 грн
10+186.02 грн
100+147.81 грн
500+139.45 грн
1000+129.69 грн
2500+120.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3 SUP70030E-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010924818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3180 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3180µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+386.38 грн
10+200.11 грн
100+192.79 грн
500+171.46 грн
1000+147.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3 SUP70030E-GE3 Виробник : Vishay sup70030e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70030E-GE3 SUP70030E-GE3 Виробник : Vishay sup70030e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.