SUP70030E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.18mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 264.06 грн |
| 50+ | 165.62 грн |
| 100+ | 148.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP70030E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUP70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3180 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3180µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUP70030E-GE3 за ціною від 119.43 грн до 382.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP70030E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds; 20V Vgs TO-220AB |
на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP70030E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUP70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3180 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3180µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SUP70030E-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds; 20V Vgs TO-220AB
MOSFETs 100V Vds; 20V Vgs TO-220AB
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 360.01 грн |
| 10+ | 184.18 грн |
| 100+ | 146.35 грн |
| 500+ | 138.07 грн |
| 1000+ | 128.40 грн |
| 2500+ | 119.43 грн |
| SUP70030E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3180 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3180µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SUP70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3180 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3180µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 382.56 грн |
| 10+ | 198.13 грн |
| 100+ | 190.88 грн |
| 500+ | 169.77 грн |
| 1000+ | 145.66 грн |