SUP70040E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SUP70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 269.10 грн |
| 10+ | 200.30 грн |
| 100+ | 150.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP70040E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SUP70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUP70040E-GE3 за ціною від 95.49 грн до 293.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP70040E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220 |
на замовлення 839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP70040E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V |
на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP70040E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SUP70040E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SUP70040E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SUP70040E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |