SUP70042E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SUP70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 268.78 грн |
| 10+ | 145.98 грн |
| 100+ | 139.97 грн |
| 500+ | 96.48 грн |
| 1000+ | 80.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP70042E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SUP70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUP70042E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP70042E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A Tube |
товару немає в наявності |
|
| SUP70042E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
SUP70042E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET TO- Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
| SUP70042E-GE3 | Виробник : Vishay |
Vishay N-CHANNEL 100-V (D-S) |
товару немає в наявності |