SUP70060E-GE3

SUP70060E-GE3 Vishay Siliconix


sup70060e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.97 грн
50+91.64 грн
100+86.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP70060E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUP70060E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUP70060E-GE3 за ціною від 98.85 грн до 192.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUP70060E-GE3 SUP70060E-GE3 Виробник : VISHAY 3006552.pdf Description: VISHAY - SUP70060E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+187.08 грн
10+154.91 грн
100+101.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70060E-GE3 SUP70060E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sup70060e.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.80 грн
10+151.86 грн
25+108.66 грн
1000+106.40 грн
2500+101.12 грн
5000+98.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70060E-GE3 SUP70060E-GE3 Виробник : Vishay sup70060e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70060E-GE3 SUP70060E-GE3 Виробник : Vishay sup70060e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70060E-GE3 Виробник : VISHAY sup70060e.pdf SUP70060E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.