SUP70060E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 177.83 грн |
| 50+ | 93.86 грн |
| 100+ | 88.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP70060E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUP70060E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SUP70060E-GE3 за ціною від 88.07 грн до 209.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP70060E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP70060E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SUP70060E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220 |
на замовлення 3622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SUP70060E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
SUP70060E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
| SUP70060E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 131A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| SUP70060E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 131A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |