на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.51 грн |
| 10+ | 125.52 грн |
| 1000+ | 106.87 грн |
| 2500+ | 102.33 грн |
| 5000+ | 100.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP70060E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SUP70060E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SUP70060E-GE3 за ціною від 83.69 грн до 195.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP70060E-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SUP70060E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SUP70060E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SUP70060E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
SUP70060E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
| SUP70060E-GE3 | Виробник : VISHAY |
SUP70060E-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |