Продукція > VISHAY SILICONIX > SUP70090E-GE3
SUP70090E-GE3

SUP70090E-GE3 Vishay Siliconix

sup70090e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.58 грн
50+132.91 грн
100+120.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP70090E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції SUP70090E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUP70090E-GE3 SUP70090E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sup70090e.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.