SUP70101EL-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 71389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 319.65 грн |
| 10+ | 301.00 грн |
| 25+ | 174.49 грн |
| 100+ | 140.82 грн |
| 500+ | 127.81 грн |
| 1000+ | 118.62 грн |
| 2500+ | 116.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP70101EL-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SUP70101EL-GE3 за ціною від 185.59 грн до 314.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SUP70101EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
 SUP70101EL-GE3 THT P channel transistors |
на замовлення 476 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
SUP70101EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
SUP70101EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
SUP70101EL-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |