на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 183.48 грн |
| 80+ | 159.32 грн |
| 87+ | 146.90 грн |
| 100+ | 133.92 грн |
| 500+ | 118.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP70101EL-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SUP70101EL-GE3 за ціною від 88.05 грн до 322.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP70101EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP70101EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -120A Pulsed drain current: -240A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP70101EL-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP70101EL-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-220AB |
на замовлення 62286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP70101EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SUP70101EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |



