Продукція > VISHAY > SUP70101EL-GE3
SUP70101EL-GE3

SUP70101EL-GE3 VISHAY

sup70101el.pdf Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.07 грн
6+154.20 грн
16+145.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP70101EL-GE3 VISHAY

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SUP70101EL-GE3 за ціною від 110.30 грн до 283.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUP70101EL-GE3 SUP70101EL-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sup70101el.pdf MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-220AB
на замовлення 71604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.92 грн
25+190.27 грн
100+133.52 грн
500+119.01 грн
1000+115.38 грн
2500+110.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70101EL-GE3 SUP70101EL-GE3 Виробник : VISHAY sup70101el.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.29 грн
6+192.16 грн
16+174.16 грн
1000+168.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70101EL-GE3 SUP70101EL-GE3 Виробник : Vishay sup70101el.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70101EL-GE3 SUP70101EL-GE3 Виробник : Vishay sup70101el.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP70101EL-GE3 SUP70101EL-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sup70101el.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.