SUP70101EL-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Mounting: THT
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Gate charge: 0.19µC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 15mΩ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 267.11 грн |
| 5+ | 201.47 грн |
| 10+ | 171.84 грн |
| 25+ | 156.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP70101EL-GE3 VISHAY
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SUP70101EL-GE3 за ціною від 112.65 грн до 375.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP70101EL-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP70101EL-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-220AB |
на замовлення 26898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SUP70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 325.17 грн |
| 10+ | 206.31 грн |
| 50+ | 160.57 грн |
| 100+ | 136.88 грн |
| 500+ | 112.65 грн |
| SUP70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 344.23 грн |
| 46+ | 313.60 грн |
| SUP70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 375.19 грн |
| 10+ | 201.43 грн |
| 50+ | 199.45 грн |
| 100+ | 176.54 грн |
| SUP70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 375.19 грн |
| 71+ | 199.45 грн |
| 100+ | 176.54 грн |
| SUP70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-220AB
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-220AB
на замовлення 26898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





