SUP70101EL-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.72 грн |
| 5+ | 168.69 грн |
| 10+ | 153.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP70101EL-GE3 VISHAY
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SUP70101EL-GE3 за ціною від 78.98 грн до 285.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP70101EL-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP70101EL-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-220AB |
на замовлення 36847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SUP70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SUP70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 230.30 грн |
| 10+ | 197.13 грн |
| 25+ | 180.12 грн |
| 100+ | 164.39 грн |
| SUP70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 62+ | 230.30 грн |
| 72+ | 197.13 грн |
| 79+ | 180.12 грн |
| 100+ | 164.39 грн |
| SUP70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 258.62 грн |
| 50+ | 126.94 грн |
| 100+ | 115.07 грн |
| 500+ | 88.46 грн |
| 1000+ | 82.18 грн |
| 2000+ | 78.98 грн |
| SUP70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-220AB
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-220AB
на замовлення 36847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 272.22 грн |
| 10+ | 147.66 грн |
| 100+ | 115.98 грн |
| 500+ | 95.96 грн |
| SUP70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 285.77 грн |





