Продукція > VISHAY SILICONIX > SUP80090E-GE3
SUP80090E-GE3

SUP80090E-GE3 Vishay Siliconix

sup80090e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.79 грн
10+171.48 грн
100+120.63 грн
500+92.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP80090E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUP80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm.

Інші пропозиції SUP80090E-GE3 за ціною від 105.10 грн до 365.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUP80090E-GE3 SUP80090E-GE3 Vishay Semiconductors sup80090e.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-220
на замовлення 539 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+325.82 грн
10+211.52 грн
100+135.88 грн
500+114.86 грн
1000+107.36 грн
2500+105.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP80090E-GE3 SUP80090E-GE3 Vishay sup80090e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+364.84 грн
59+251.99 грн
100+182.25 грн
500+151.28 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP80090E-GE3 SUP80090E-GE3 Vishay sup80090e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.40 грн
10+252.37 грн
100+182.52 грн
500+151.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP80090E-GE3 SUP80090E-GE3 VISHAY VISH-S-A0001814228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP80090E-GE3 sup80090e.pdf
SUP80090E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-220
на замовлення 539 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+325.82 грн
10+211.52 грн
100+135.88 грн
500+114.86 грн
1000+107.36 грн
2500+105.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP80090E-GE3 sup80090e.pdf
SUP80090E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+364.84 грн
59+251.99 грн
100+182.25 грн
500+151.28 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP80090E-GE3 sup80090e.pdf
SUP80090E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+365.40 грн
10+252.37 грн
100+182.52 грн
500+151.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP80090E-GE3 VISH-S-A0001814228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUP80090E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.