на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 266.18 грн |
| 10+ | 170.34 грн |
| 100+ | 116.53 грн |
| 1000+ | 110.21 грн |
| 2500+ | 108.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP80090E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SUP80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUP80090E-GE3 за ціною від 92.59 грн до 301.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP80090E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 150V 128A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP80090E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP80090E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |