SUP80090E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 291.25 грн |
| 10+ | 184.43 грн |
| 100+ | 129.74 грн |
| 500+ | 99.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP80090E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUP80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUP80090E-GE3 за ціною від 110.52 грн до 325.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP80090E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-220 |
на замовлення 1533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP80090E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUP80090E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SUP80090E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |