на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 58+ | 216.35 грн |
| 75+ | 168.18 грн |
| 100+ | 166.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP85N10-10-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SUP85N10-10-E3 за ціною від 179.22 грн до 504.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP85N10-10-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 320 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 85A N-CH MOSFET |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SUP85N10-10-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |



