на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP85N10-10-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SUP85N10-10-E3 за ціною від 121.78 грн до 458.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP85N10-10-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP85N10-10-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP85N10-10-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP85N10-10-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 359 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP85N10-10-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUP85N10-10-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V N-CH 175 DEG.C |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUP85N10-10-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SUP85N10-10-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |