Технічний опис SUP85N10-10-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SUP85N10-10-E3 за ціною від 118.35 грн до 441.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP85N10-10-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220ABDrain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 2522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; 250W Mounting: THT Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 60A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 10.5mΩ Power dissipation: 250W Gate charge: 105nC |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 85A N-CH MOSFET |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 244.86 грн |
| 10+ | 190.35 грн |
| 100+ | 188.92 грн |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 302.66 грн |
| 50+ | 237.55 грн |
| 100+ | 217.61 грн |
| 500+ | 175.54 грн |
| 1000+ | 157.08 грн |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 302.66 грн |
| 60+ | 237.55 грн |
| 100+ | 217.61 грн |
| 500+ | 175.54 грн |
| 1000+ | 157.08 грн |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 337.83 грн |
| 10+ | 215.38 грн |
| 50+ | 168.04 грн |
| 100+ | 143.40 грн |
| 500+ | 118.35 грн |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; 250W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 105nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; 250W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 105nC
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 380.15 грн |
| 10+ | 241.26 грн |
| 25+ | 208.24 грн |
| 50+ | 206.55 грн |
| 100+ | 191.31 грн |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 441.24 грн |
| 37+ | 381.96 грн |
| 50+ | 378.01 грн |
| 100+ | 336.57 грн |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 85A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 85A N-CH MOSFET
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






