Продукція > VISHAY > SUP85N10-10-E3
SUP85N10-10-E3

SUP85N10-10-E3 Vishay

supsub85.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+304.01 грн
50+238.61 грн
100+218.58 грн
500+176.33 грн
1000+157.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP85N10-10-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції SUP85N10-10-E3 за ціною від 114.60 грн до 443.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 Vishay supsub85.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+304.01 грн
60+238.61 грн
100+218.58 грн
500+176.33 грн
1000+157.78 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 Vishay Semiconductors SUP%2CSUB85N10-10.pdf MOSFETs TO220 100V 85A N-CH MOSFET
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+334.24 грн
10+177.83 грн
100+140.83 грн
500+115.98 грн
1000+114.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 VISHAY SUP85N10-10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; 250W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 105nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+373.17 грн
10+236.83 грн
25+204.42 грн
50+202.76 грн
100+187.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 Vishay Siliconix SUP%2CSUB85N10-10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.13 грн
50+207.00 грн
100+206.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 Vishay supsub85.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+443.20 грн
37+383.67 грн
50+379.70 грн
100+338.07 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3 supsub85.pdf
SUP85N10-10-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+304.01 грн
60+238.61 грн
100+218.58 грн
500+176.33 грн
1000+157.78 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3 SUP%2CSUB85N10-10.pdf
SUP85N10-10-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 85A N-CH MOSFET
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+334.24 грн
10+177.83 грн
100+140.83 грн
500+115.98 грн
1000+114.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10.pdf
SUP85N10-10-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; 250W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 105nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 250W
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+373.17 грн
10+236.83 грн
25+204.42 грн
50+202.76 грн
100+187.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3 SUP%2CSUB85N10-10.pdf
SUP85N10-10-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+441.13 грн
50+207.00 грн
100+206.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-E3 supsub85.pdf
SUP85N10-10-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+443.20 грн
37+383.67 грн
50+379.70 грн
100+338.07 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.