| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 58+ | 253.62 грн |
| 75+ | 197.16 грн |
| 100+ | 195.68 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
58 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP85N10-10-E3 Vishay
Description: VISHAY - SUP85N10-10-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.
Інші пропозиції SUP85N10-10-E3 за ціною від 121.74 грн до 457.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP85N10-10-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V |
на замовлення 2522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 85A N-CH MOSFET |
на замовлення 649 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; 250W Mounting: THT Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: 60A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 10.5mΩ Power dissipation: 250W Gate charge: 105nC |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP85N10-10-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUP85N10-10-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 254.15 грн |
| 10+ | 197.58 грн |
| 100+ | 196.09 грн |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 314.14 грн |
| 50+ | 246.57 грн |
| 100+ | 225.86 грн |
| 500+ | 182.20 грн |
| 1000+ | 163.04 грн |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 314.14 грн |
| 60+ | 246.57 грн |
| 100+ | 225.86 грн |
| 500+ | 182.20 грн |
| 1000+ | 163.04 грн |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 347.55 грн |
| 10+ | 221.52 грн |
| 50+ | 172.84 грн |
| 100+ | 147.51 грн |
| 500+ | 121.74 грн |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 85A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 85A N-CH MOSFET
на замовлення 649 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 376.56 грн |
| 10+ | 192.08 грн |
| 100+ | 151.98 грн |
| 500+ | 127.90 грн |
| 1000+ | 124.89 грн |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; 250W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 105nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; 250W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 105nC
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 381.27 грн |
| 7+ | 151.12 грн |
| 18+ | 143.48 грн |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 457.98 грн |
| 37+ | 396.46 грн |
| 50+ | 392.36 грн |
| 100+ | 349.34 грн |
| SUP85N10-10-E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP85N10-10-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
Description: VISHAY - SUP85N10-10-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







