
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 218.36 грн |
100+ | 201.01 грн |
250+ | 196.73 грн |
500+ | 185.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP85N10-10-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SUP85N10-10-GE3 за ціною від 140.24 грн до 492.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SUP85N10-10-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SUP85N10-10-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 85A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SUP85N10-10-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 85A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SUP85N10-10-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUP85N10-10-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SUP85N10-10-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SUP85N10-10-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
SUP85N10-10-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |