Продукція > VISHAY > SUP85N10-10-GE3
SUP85N10-10-GE3

SUP85N10-10-GE3 Vishay


supsub85.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+218.36 грн
100+201.01 грн
250+196.73 грн
500+185.99 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP85N10-10-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUP85N10-10-GE3 за ціною від 140.24 грн до 492.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Виробник : Vishay supsub85.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+232.76 грн
100+214.26 грн
250+209.70 грн
500+198.24 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Виробник : VISHAY SUP%2CSUB85N10-10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+366.43 грн
7+148.67 грн
17+140.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Виробник : VISHAY SUP%2CSUB85N10-10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 85A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.71 грн
7+185.26 грн
17+168.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Виробник : VISHAY 3252082.pdf Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+447.30 грн
10+328.46 грн
100+244.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Виробник : Vishay Siliconix SUP%2CSUB85N10-10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+483.06 грн
50+219.19 грн
100+210.69 грн
500+197.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix SUP%2CSUB85N10-10.pdf MOSFETs 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.66 грн
10+417.09 грн
25+216.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Виробник : Vishay supsub85.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Виробник : Vishay supsub85.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.