Продукція > VISHAY > SUP85N10-10-GE3
SUP85N10-10-GE3

SUP85N10-10-GE3 Vishay

supsub85.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+109.12 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP85N10-10-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0105 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SUP85N10-10-GE3 за ціною від 109.29 грн до 486.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Vishay supsub85.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+109.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Vishay Siliconix SUP%2CSUB85N10-10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.06 грн
50+203.20 грн
100+202.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Vishay supsub85.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+486.47 грн
50+381.57 грн
100+350.10 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 VISHAY 3252082.pdf Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0105 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP85N10-10-GE3 Vishay / Siliconix SUP%2CSUB85N10-10.pdf MOSFETs 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 supsub85.pdf
SUP85N10-10-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+109.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP%2CSUB85N10-10.pdf
SUP85N10-10-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+451.06 грн
50+203.20 грн
100+202.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 supsub85.pdf
SUP85N10-10-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+486.47 грн
50+381.57 грн
100+350.10 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 3252082.pdf
SUP85N10-10-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP85N10-10-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0105 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP85N10-10-GE3 SUP%2CSUB85N10-10.pdf
SUP85N10-10-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.