Продукція > VISHAY SILICONIX > SUP90100E-GE3
SUP90100E-GE3

SUP90100E-GE3 Vishay Siliconix

sup90100e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 100 V
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+336.29 грн
10+214.26 грн
100+151.89 грн
500+117.56 грн
1000+109.53 грн
2000+102.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP90100E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUP90100E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 150 A, 0.0109 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm.

Інші пропозиції SUP90100E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUP90100E-GE3 SUP90100E-GE3 VISHAY VISH-S-A0012815798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP90100E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 150 A, 0.0109 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3 SUP90100E-GE3 Vishay / Siliconix sup90100e.pdf MOSFETs TO220 200V 150A N-CH MOSFET
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3 VISH-S-A0012815798-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUP90100E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUP90100E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 150 A, 0.0109 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90100E-GE3 sup90100e.pdf
SUP90100E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 150A N-CH MOSFET
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.