SUP90140E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4132 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 286.95 грн |
| 50+ | 141.65 грн |
| 100+ | 128.62 грн |
| 500+ | 99.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP90140E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUP90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUP90140E-GE3 за ціною від 106.92 грн до 323.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP90140E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUP90140E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220 |
на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUP90140E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
SUP90140E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SUP90140E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SUP90140E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 96nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 240A |
товару немає в наявності |