Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SUP90140E-GE3
SUP90140E-GE3

SUP90140E-GE3 Vishay Semiconductors

sup90140e.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.87 грн
10+158.58 грн
1000+131.04 грн
2500+127.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP90140E-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SUP90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SUP90140E-GE3 за ціною від 104.05 грн до 307.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUP90140E-GE3 SUP90140E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sup90140e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4132 pF @ 100 V
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.81 грн
50+148.48 грн
100+134.83 грн
500+104.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3 SUP90140E-GE3 Виробник : VISHAY sup90140e.pdf Description: VISHAY - SUP90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+307.67 грн
10+172.64 грн
100+164.95 грн
500+125.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3 SUP90140E-GE3 Виробник : Vishay sup90140e.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3 SUP90140E-GE3 Виробник : Vishay sup90140e.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90140E-GE3 SUP90140E-GE3 Виробник : Vishay sup90140e.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.