Продукція > VISHAY SILICONIX > SUP90142E-GE3
SUP90142E-GE3

SUP90142E-GE3 Vishay Siliconix

sup90142e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31200 pF @ 100 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.71 грн
50+153.72 грн
100+139.52 грн
500+107.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP90142E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31200 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SUP90142E-GE3 за ціною від 122.47 грн до 341.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUP90142E-GE3 SUP90142E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sup90142e.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
на замовлення 37769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+341.78 грн
10+172.13 грн
100+136.07 грн
500+122.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3 SUP90142E-GE3 Виробник : Vishay sup90142e.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3 SUP90142E-GE3 Виробник : Vishay sup90142e.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3 SUP90142E-GE3 Виробник : Vishay sup90142e.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3 SUP90142E-GE3 Виробник : VISHAY 3164451.pdf Description: VISHAY - SUP90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 90
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: ThunderFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90142E-GE3 Виробник : VISHAY sup90142e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.