SUP90330E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.95 грн |
| 50+ | 69.13 грн |
| 100+ | 61.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP90330E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SUP90330E-GE3 за ціною від 41.70 грн до 166.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP90330E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB |
на замовлення 887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|