SUP90330E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.25 грн |
| 50+ | 68.34 грн |
| 100+ | 61.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP90330E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUP90330E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.8 A, 0.0312 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 35.8, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 125, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 125, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: TrenchFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0312, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SUP90330E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP90330E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB |
на замовлення 887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SUP90330E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)