Продукція > VISHAY SILICONIX > SUP90330E-GE3
SUP90330E-GE3

SUP90330E-GE3 Vishay Siliconix

sup90330e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.63 грн
10+ 82.89 грн
100+ 64.49 грн
500+ 51.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUP90330E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SUP90330E-GE3 за ціною від 39.06 грн до 118.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUP90330E-GE3 SUP90330E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sup90330e.pdf MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.57 грн
10+ 95.49 грн
100+ 64.9 грн
500+ 54.6 грн
1000+ 43.58 грн
2500+ 41.91 грн
5000+ 39.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUP90330E-GE3 SUP90330E-GE3 Виробник : Vishay sup90330e.pdf N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFET
товар відсутній
SUP90330E-GE3 SUP90330E-GE3 Виробник : Vishay sup90330e.pdf N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET
товар відсутній
SUP90330E-GE3 Виробник : VISHAY sup90330e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUP90330E-GE3 Виробник : VISHAY sup90330e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній