на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.99 грн |
| 10+ | 110.39 грн |
| 100+ | 67.96 грн |
| 500+ | 62.62 грн |
| 1000+ | 46.02 грн |
| 5000+ | 44.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUP90330E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SUP90330E-GE3 за ціною від 64.57 грн до 154.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUP90330E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
SUP90330E-GE3 | Виробник : Vishay |
N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
SUP90330E-GE3 | Виробник : Vishay |
N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET |
товару немає в наявності |


