Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > T2N7002AK,LM
T2N7002AK,LM

T2N7002AK,LM Toshiba Semiconductor and Storage

T2N7002AK_datasheet_en_20150401.pdf?did=29712&prodName=T2N7002AK Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 549000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.64 грн
6000+ 1.49 грн
9000+ 1.27 грн
30000+ 1.1 грн
75000+ 0.95 грн
150000+ 0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис T2N7002AK,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V.

Інші пропозиції T2N7002AK,LM за ціною від 1.2 грн до 10.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
T2N7002AK,LM T2N7002AK,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002AK_datasheet_en_20150401.pdf?did=29712&prodName=T2N7002AK Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 550413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+9.34 грн
43+ 6.5 грн
100+ 3.49 грн
500+ 2.57 грн
1000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 31
T2N7002AK,LM T2N7002AK,LM Виробник : Toshiba T2N7002AK_datasheet_en_20150401-1916411.pdf MOSFET Small-signal MOSFET
на замовлення 502260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+10.85 грн
42+ 7.33 грн
100+ 2.72 грн
1000+ 1.93 грн
3000+ 1.46 грн
9000+ 1.33 грн
24000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 29