Продукція > TOSHIBA > T2N7002BK,LM(T
T2N7002BK,LM(T

T2N7002BK,LM(T TOSHIBA


3622454.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.65 грн
1000+1.40 грн
5000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис T2N7002BK,LM(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 320mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції T2N7002BK,LM(T за ціною від 1.83 грн до 18.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
T2N7002BK,LM(T T2N7002BK,LM(T Виробник : Toshiba t2n7002bk_datasheet_en_20191025.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 27000
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(T T2N7002BK,LM(T Виробник : Toshiba t2n7002bk_datasheet_en_20191025.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 27000
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(T T2N7002BK,LM(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+18.25 грн
68+11.84 грн
106+7.56 грн
500+5.66 грн
1500+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(T Виробник : TOSHIBA T2N7002BK SMD N channel transistors
на замовлення 23190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
35+9.34 грн
598+1.93 грн
1642+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(T T2N7002BK,LM(T Виробник : Toshiba t2n7002bk_datasheet_en_20191025.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.