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Технічний опис T2N7002BK,LM(T Toshiba
Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 320mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 320mW, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.
Інші пропозиції T2N7002BK,LM(T за ціною від 1.47 грн до 6.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
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T2N7002BK,LM(T | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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T2N7002BK,LM(T | TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 14977 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
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T2N7002BK,LM(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 320mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
на замовлення 97333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
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T2N7002BK,LM(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 320mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 320mW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
на замовлення 97333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
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T2N7002BK,LM(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 320mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| T2N7002BK,LM(T |
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Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27000+ | 4.14 грн |
| T2N7002BK,LM(T |
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Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 14977 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 6.92 грн |
| 112+ | 3.71 грн |
| 127+ | 3.25 грн |
| 144+ | 2.87 грн |
| 160+ | 2.58 грн |
| 200+ | 2.33 грн |
| 500+ | 1.99 грн |
| 1500+ | 1.64 грн |
| 3000+ | 1.47 грн |
| T2N7002BK,LM(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 97333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| T2N7002BK,LM(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 97333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| T2N7002BK,LM(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
Description: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)