T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 225900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.87 грн |
| 6000+ | 1.60 грн |
| 9000+ | 1.49 грн |
| 15000+ | 1.29 грн |
| 21000+ | 1.23 грн |
| 30000+ | 1.17 грн |
| 75000+ | 1.01 грн |
| 150000+ | 0.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V.
Інші пропозиції T2N7002BK,LM за ціною від 1.24 грн до 10.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
T2N7002BK,LM | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 226776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
T2N7002BK,LM | Виробник : Toshiba |
MOSFETs Small Signal Mosfet |
на замовлення 4588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
T2N7002BK,LM | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |