T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.23 грн |
| 6000+ | 1.91 грн |
| 9000+ | 1.79 грн |
| 15000+ | 1.55 грн |
| 21000+ | 1.48 грн |
| 30000+ | 1.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V.
Інші пропозиції T2N7002BK,LM за ціною від 1.88 грн до 13.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
T2N7002BK,LM | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V |
на замовлення 1223522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
T2N7002BK,LM | Toshiba |
MOSFETs Small Signal Mosfet |
на замовлення 370136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| T2N7002BK,LM | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| T2N7002BK,LM |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 1223522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.55 грн |
| 45+ | 6.67 грн |
| 100+ | 4.12 грн |
| 500+ | 2.80 грн |
| 1000+ | 2.46 грн |
| T2N7002BK,LM |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs Small Signal Mosfet
MOSFETs Small Signal Mosfet
на замовлення 370136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| T2N7002BK,LM |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 56+ | 13.52 грн |
| 64+ | 11.71 грн |
| 167+ | 4.34 грн |
| 250+ | 3.98 грн |
| 500+ | 3.79 грн |
| 1000+ | 2.50 грн |
| 3000+ | 1.88 грн |



