TBC847B,LM(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 11.63 грн |
| 117+ | 7.00 грн |
| 187+ | 4.36 грн |
| 500+ | 2.89 грн |
| 1000+ | 2.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TBC847B,LM(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TBC847B,LM(T за ціною від 2.34 грн до 11.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TBC847B,LM(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TBC847B,LM(T | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 320mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
TBC847B,LM(T Код товару: 182455
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 60 V Ic,A: 0,15 A Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
 |
TBC847B,LM(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.32W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
товару немає в наявності |