TBC847B,LM(T
Код товару: 182455
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,15 A
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції TBC847B,LM(T за ціною від 2.12 грн до 10.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TBC847B,LM(T | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 320mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TBC847B,LM(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 320mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TBC847B,LM(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 320mW Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|