Продукція > TOSHIBA > TBC847B,LM(T

TBC847B,LM(T TOSHIBA

Name: TBC847B,LM(T
Brand: TOSHIBA
SKU: 14186675-6
Price: 859.60 UAH
Availability: InStock

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
70+	12.28 грн
117+	7.39 грн
187+	4.60 грн

Мінімальне замовлення: 70

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис TBC847B,LM(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TBC847B,LM(T

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
TBC847B,LM(T	Виробник : TOSHIBA	Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C	на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
TBC847B,LM(T	Виробник : Toshiba	Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 320mW 3-Pin SOT-23 T/R	на замовлення 2786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
TBC847B,LM(T Код товару: 182455 Додати до обраних Обраний товар		Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 60 V Ic,A: 0,15 A Монтаж: SMD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
TBC847B,LM(T	Виробник : Toshiba	Silicon NPN Epitaxial Type	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
TBC847B,LM(T	Виробник : TOSHIBA	Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 0.32W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.32W Case: SOT23 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.