Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TBC857B,LM
TBC857B,LM

TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=53599&prodName=TBC857 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.03 грн
52+5.72 грн
100+3.56 грн
500+2.42 грн
1000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW.

Інші пропозиції TBC857B,LM за ціною від 1.44 грн до 10.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TBC857B,LM TBC857B,LM Виробник : Toshiba EBE9B919D55E3232773EED939B0EA82000DC4572EEA3438AD5B13E3B971A79F2.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -0.15A -50V
на замовлення 5533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+10.32 грн
52+6.07 грн
100+3.29 грн
500+2.33 грн
1000+2.06 грн
3000+1.65 грн
6000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TBC857B,LM TBC857B,LM Виробник : Toshiba 3495docget.jspdid53599prodnametbc857.jspdid53599prodnametbc857.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 320mW 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBC857B,LM TBC857B,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53599&prodName=TBC857 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.