Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TBC857B,LM
TBC857B,LM

TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=53599&prodName=TBC857
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.06 грн
6000+1.76 грн
9000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW.

Інші пропозиції TBC857B,LM за ціною від 1.48 грн до 11.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TBC857B,LM TBC857B,LM Toshiba EBE9B919D55E3232773EED939B0EA82000DC4572EEA3438AD5B13E3B971A79F2.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -0.15A -50V
на замовлення 5533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+10.58 грн
52+6.23 грн
100+3.38 грн
500+2.39 грн
1000+2.11 грн
3000+1.69 грн
6000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TBC857B,LM TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53599&prodName=TBC857 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 10931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.08 грн
49+6.25 грн
100+3.82 грн
500+2.60 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TBC857B,LM EBE9B919D55E3232773EED939B0EA82000DC4572EEA3438AD5B13E3B971A79F2.pdf
TBC857B,LM
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -0.15A -50V
на замовлення 5533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+10.58 грн
52+6.23 грн
100+3.38 грн
500+2.39 грн
1000+2.11 грн
3000+1.69 грн
6000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TBC857B,LM docget.jsp?did=53599&prodName=TBC857
TBC857B,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 10931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.08 грн
49+6.25 грн
100+3.82 грн
500+2.60 грн
1000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.