Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > TBC857B,LM(T

TBC857B,LM(T

Код товару: 182452
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції TBC857B,LM(T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TBC857B,LM(T TBC857B,LM(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TBC857B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 320mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBC857B,LM(T TBC857B,LM(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - TBC857B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung: 320mW
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBC857B,LM(T Toshiba 3495docget.jspdid53599prodnametbc857.jspdid53599prodnametbc857.pdf Silicon PNP Epitaxial Type
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 815 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBC857B,LM(T
TBC857B,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBC857B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 320mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBC857B,LM(T
TBC857B,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBC857B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung: 320mW
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBC857B,LM(T 3495docget.jspdid53599prodnametbc857.jspdid53599prodnametbc857.pdf
Виробник: Toshiba
Silicon PNP Epitaxial Type
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 815 шт
В кошику  од. на суму  грн.