TD250N18KOF Infineon Technologies


Infineon_TT250N_DataSheet_v03_06_EN-3364071.pdf Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules 1800V 410A
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+13337.97 грн
12+ 12071.86 грн
27+ 10159.83 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TD250N18KOF Infineon Technologies

Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.5V; screw, Gate current: 200mA, Max. forward impulse current: 8kA, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: diode-thyristor, Case: BG-PB50-1, Max. off-state voltage: 1.8kV, Max. load current: 410A, Max. forward voltage: 1.5V, Load current: 250A, Semiconductor structure: double series.

Інші пропозиції TD250N18KOF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TD250N18KOF Виробник : EUPEC 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TD250N18KOF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES TD250N18KOF Diode - thyristor modules
товар відсутній
TD250N18KOF  TD250N18KOF  Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES TD250N18KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.5V; screw
Gate current: 200mA
Max. forward impulse current: 8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Case: BG-PB50-1
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. load current: 410A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 250A
Semiconductor structure: double series
товар відсутній