Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TDTA114Y,LM
TDTA114Y,LM

TDTA114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage

TDTA114Y_datasheet_en_20201113.pdf?did=36687&prodName=TDTA114Y Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.5 грн
35+ 7.96 грн
100+ 4.26 грн
500+ 3.14 грн
1000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TDTA114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції TDTA114Y,LM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TDTA114Y,LM TDTA114Y,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TDTA114Y_datasheet_en_20201113.pdf?did=36687&prodName=TDTA114Y Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
TDTA114Y,LM TDTA114Y,LM Виробник : Toshiba TDTA114Y_datasheet_en_20201113.pdf?did=36687&prodName=TDTA114Y Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT -0.1A -50V 10KOhm / 47KOhm
товар відсутній