Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TDTA114Y,LM

TDTA114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Name: TDTA114Y,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 10259893-3
Price: 321.32 UAH
Availability: InStock

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 2722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
29+	11.08 грн
48+	6.40 грн
100+	3.97 грн
500+	2.70 грн
1000+	2.37 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис TDTA114Y,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 320 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Resistors Included: R1 and R2, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TDTA114Y,LM

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	TDTA114Y,LM	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SOT23 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 320 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Resistors Included: R1 and R2 Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	TDTA114Y,LM	Виробник : Toshiba	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT -0.1A -50V 10KOhm / 47KOhm	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.