Результат пошуку "tdta124e,lm(t" : 7

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TDTA124E,LM(T TDTA124E,LM(T TOSHIBA 4008669.pdf Description: TOSHIBA - TDTA124E,LM(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+13.08 грн
109+7.85 грн
175+4.91 грн
500+3.26 грн
1500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM(T TDTA124E,LM(T TOSHIBA 4008669.pdf Description: TOSHIBA - TDTA124E,LM(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.26 грн
1500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM TDTA124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36697&prodName=TDTA124E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.54 грн
49+6.51 грн
100+4.03 грн
500+2.74 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM(T TDTA124E,LM(T TOSHIBA Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; SOT23; R1: 22kΩ; R2: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM TDTA124E,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36697&prodName=TDTA124E Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124ELM(T Toshiba TDTA124E_datasheet_en_20201113.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM(T 4008669.pdf
TDTA124E,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TDTA124E,LM(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+13.08 грн
109+7.85 грн
175+4.91 грн
500+3.26 грн
1500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM(T 4008669.pdf
TDTA124E,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TDTA124E,LM(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.26 грн
1500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM docget.jsp?did=36697&prodName=TDTA124E
TDTA124E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.54 грн
49+6.51 грн
100+4.03 грн
500+2.74 грн
1000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM(T
TDTA124E,LM(T
Виробник: TOSHIBA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; SOT23; R1: 22kΩ; R2: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124E,LM docget.jsp?did=36697&prodName=TDTA124E
TDTA124E,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA124ELM(T TDTA124E_datasheet_en_20201113.pdf
Виробник: Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.