TDTA143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=36368&prodName=TDTA143Z
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.78 грн
49+6.15 грн
100+3.80 грн
500+2.58 грн
1000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TDTA143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistors Included: R1 Only.

Інші пропозиції TDTA143Z,LM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TDTA143Z,LM TDTA143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=36368&prodName=TDTA143Z Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA143Z,LM TDTA143Z,LM Toshiba 2BCBAA3D64F17A8AC6841B68DAEB6BEC372ED55AED69117C1D90A89D3B87CE0D.pdf Digital Transistors BRT -0.1A -50V 4.7KOhm / 47KOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA143Z,LM docget.jsp?did=36368&prodName=TDTA143Z
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDTA143Z,LM 2BCBAA3D64F17A8AC6841B68DAEB6BEC372ED55AED69117C1D90A89D3B87CE0D.pdf
Виробник: Toshiba
Digital Transistors BRT -0.1A -50V 4.7KOhm / 47KOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.