Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TDTC114E,LM

TDTC114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Name: TDTC114E,LM
Brand: Toshiba
SKU: 3773332-4
Price: 335.44 UAH
Availability: BackOrder

TDTC114E_datasheet_en_20201112.pdf?did=36700&prodName=TDTC114E

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис TDTC114E,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 320 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active.

Інші пропозиції TDTC114E,LM

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	TDTC114E,LM	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 320 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	TDTC114E,LM	Виробник : Toshiba	Digital Transistors BRT 0.1A 50V 10KOhm / 10KOhm	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.