Продукція > TOSHIBA > TJ10S04M3L(T6L1,NQ
TJ10S04M3L(T6L1,NQ

TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba

TJ10S04M3L_datasheet_en_20241218-1858424.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.89 грн
10+79.25 грн
25+64.44 грн
100+48.36 грн
250+48.29 грн
500+39.26 грн
1000+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ10S04M3L(T6L1,NQ Toshiba

Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TJ10S04M3L(T6L1,NQ за ціною від 38.95 грн до 138.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TJ10S04M3L(T6L1,NQ TJ10S04M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.93 грн
10+85.01 грн
100+57.24 грн
500+42.55 грн
1000+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L(T6L1,NQ TJ10S04M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba tj10s04m3l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ10S04M3L(T6L1,NQ TJ10S04M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.