TJ15P04M3,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 15A DPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.5A, 10V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.92 грн |
| 10+ | 47.69 грн |
| 100+ | 37.13 грн |
| 500+ | 29.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TJ15P04M3,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 15A DPAK, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 29W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 7.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active.
Інші пропозиції TJ15P04M3,RQ(S за ціною від 17.37 грн до 95.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TJ15P04M3,RQ(S | Виробник : Toshiba |
MOSFETs P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V |
на замовлення 3643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|