TJ15S06M3L(T6L1,NQ TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ15S06M3L(T6L1,NQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TJ15S06M3L(T6L1,NQ TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ15S06M3L(T6L1,NQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TJ15S06M3L(T6L1,NQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
TJ15S06M3L(T6L1,NQ | Toshiba |
MOSFETs P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V |
на замовлення 1751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TJ15S06M3L(T6L1,NQ |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V
MOSFETs P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



