Продукція > TOSHIBA > TJ15S10M3,LQ(O
TJ15S10M3,LQ(O

TJ15S10M3,LQ(O TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ15S10M3,LQ(O TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.

Інші пропозиції TJ15S10M3,LQ(O

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TJ15S10M3,LQ(O TJ15S10M3,LQ(O Toshiba 353943502256114353943275043744tj15s10m3_datasheet_en_20171208.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S10M3,LQ(O TJ15S10M3,LQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S10M3,LQ(O 353943502256114353943275043744tj15s10m3_datasheet_en_20171208.pdf.pdf
TJ15S10M3,LQ(O
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ15S10M3,LQ(O
TJ15S10M3,LQ(O
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.