TJ15S10M3,LQ(O TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 100.53 грн |
| 12+ | 72.40 грн |
| 100+ | 51.20 грн |
| 500+ | 41.34 грн |
| 1000+ | 36.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TJ15S10M3,LQ(O TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TJ15S10M3,LQ(O за ціною від 36.06 грн до 100.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TJ15S10M3,LQ(O | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TJ15S10M3,LQ(O | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
TJ15S10M3,LQ(O | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
товару немає в наявності |