TJ15S10M3,LQ(O TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 95.24 грн |
| 12+ | 68.59 грн |
| 100+ | 48.50 грн |
| 500+ | 39.16 грн |
| 1000+ | 34.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TJ15S10M3,LQ(O TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TJ15S10M3,LQ(O за ціною від 34.16 грн до 95.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TJ15S10M3,LQ(O | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TJ15S10M3,LQ(O | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |