Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TJ200F04M3L,LXHQ
TJ200F04M3L,LXHQ

TJ200F04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

TJ200F04M3L_datasheet_en_20241217.pdf?did=29739&prodName=TJ200F04M3L Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.11 грн
10+175.95 грн
100+128.51 грн
500+110.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ200F04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SM(W), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції TJ200F04M3L,LXHQ за ціною від 103.00 грн до 285.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TJ200F04M3L,LXHQ TJ200F04M3L,LXHQ Виробник : Toshiba TJ200F04M3L_datasheet_en_20241217-1840163.pdf MOSFETs 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 53744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.81 грн
10+209.82 грн
25+181.71 грн
100+130.95 грн
500+107.41 грн
1000+103.73 грн
5000+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TJ200F04M3L,LXHQ
Код товару: 170672
Додати до обраних Обраний товар

TJ200F04M3L_datasheet_en_20241217.pdf?did=29739&prodName=TJ200F04M3L Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ200F04M3L,LXHQ TJ200F04M3L,LXHQ Виробник : Toshiba tj200f04m3l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 200A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ200F04M3L,LXHQ TJ200F04M3L,LXHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TJ200F04M3L_datasheet_en_20241217.pdf?did=29739&prodName=TJ200F04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.