Технічний опис TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba
Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: DPAK+, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TJ20S04M3L(T6L1,NQ за ціною від 36.59 грн до 148.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TJ20S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V |
на замовлення 1067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TJ20S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
на замовлення 1612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TJ20S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba |
MOSFETs P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222 |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TJ20S04M3L(T6L1,NQ |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 130.08 грн |
| 10+ | 79.83 грн |
| 100+ | 53.78 грн |
| 500+ | 39.97 грн |
| 1000+ | 36.59 грн |
| TJ20S04M3L(T6L1,NQ |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 40V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Trans MOSFET P-CH Si 40V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 105+ | 148.92 грн |
| 200+ | 102.09 грн |
| 500+ | 86.82 грн |
| 1000+ | 68.01 грн |
| TJ20S04M3L(T6L1,NQ |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
MOSFETs P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)