Продукція > TOSHIBA > TJ20S04M3L(T6L1,NQ
TJ20S04M3L(T6L1,NQ

TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba

docget.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 40V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+45.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba

Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TJ20S04M3L(T6L1,NQ за ціною від 32.59 грн до 138.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TJ20S04M3L(T6L1,NQ TJ20S04M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+128.71 грн
200+88.23 грн
500+75.04 грн
1000+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
TJ20S04M3L(T6L1,NQ TJ20S04M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba TJ20S04M3L_datasheet_en_20241218-1840193.pdf MOSFETs P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.11 грн
10+88.04 грн
100+52.38 грн
500+41.61 грн
1000+38.96 грн
2000+34.03 грн
4000+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ20S04M3L(T6L1,NQ TJ20S04M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=11300&prodName=TJ20S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.57 грн
10+85.04 грн
100+57.28 грн
500+42.57 грн
1000+38.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ20S04M3L(T6L1,NQ TJ20S04M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ20S04M3L(T6L1,NQ TJ20S04M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba tj20s04m3l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ20S04M3L(T6L1,NQ TJ20S04M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=11300&prodName=TJ20S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.