TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 48.97 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba
Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TJ20S04M3L(T6L1,NQ за ціною від 41.35 грн до 149.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TJ20S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TJ20S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
на замовлення 1612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
TJ20S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba |
MOSFETs P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222 |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TJ20S04M3L(T6L1,NQ |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 134.82 грн |
| 10+ | 82.65 грн |
| 50+ | 62.22 грн |
| 100+ | 52.21 грн |
| 500+ | 41.35 грн |
| TJ20S04M3L(T6L1,NQ |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 40V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Trans MOSFET P-CH Si 40V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 105+ | 149.92 грн |
| 200+ | 102.78 грн |
| 500+ | 87.41 грн |
| 1000+ | 68.46 грн |
| TJ20S04M3L(T6L1,NQ |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
MOSFETs P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)