Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TJ20S04M3L,LXHQ
TJ20S04M3L,LXHQ

TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

TJ20S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=11300&prodName=TJ20S04M3L Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+25.04 грн
6000+ 22.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TJ20S04M3L,LXHQ за ціною від 21.85 грн до 64.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TJ20S04M3L,LXHQ TJ20S04M3L,LXHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=11300&prodName=TJ20S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 10 V
на замовлення 9909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.36 грн
10+ 47.67 грн
100+ 37.1 грн
500+ 29.51 грн
1000+ 24.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
TJ20S04M3L,LXHQ TJ20S04M3L,LXHQ Виробник : Toshiba TJ20S04M3L_datasheet_en_20200624-1840193.pdf MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 40595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.17 грн
10+ 52.25 грн
100+ 35.34 грн
500+ 29.96 грн
1000+ 24.38 грн
2000+ 22.98 грн
4000+ 21.85 грн
Мінімальне замовлення: 5