Продукція > TOSHIBA > TJ30S06M3L(T6L1,NQ
TJ30S06M3L(T6L1,NQ

TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

tj30s06m3l_datasheet_en_20200624.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
158+77.66 грн
185+66.15 грн
217+56.57 грн
229+51.70 грн
500+44.77 грн
1000+40.36 грн
2000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

Description: MOSFET P-CH 60V 30A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TJ30S06M3L(T6L1,NQ за ціною від 42.26 грн до 115.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TJ30S06M3L(T6L1,NQ TJ30S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba TJ30S06M3L_datasheet_en_20241218-1858413.pdf MOSFETs P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
на замовлення 6826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.33 грн
10+95.46 грн
100+58.63 грн
500+49.80 грн
1000+47.24 грн
2000+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TJ30S06M3L(T6L1,NQ TJ30S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba tj30s06m3l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ30S06M3L(T6L1,NQ TJ30S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba tj30s06m3l_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ30S06M3L(T6L1,NQ TJ30S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22571&prodName=TJ30S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ30S06M3L(T6L1,NQ TJ30S06M3L(T6L1,NQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TJ30S06M3L_datasheet_en_20200624.pdf?did=22571&prodName=TJ30S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.